.jpg)
DDR3 SDRAM (bahasa Inggris: Double Data Rate type 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory) adalah istilah komputasi yang ditujukan pada jenis modern dari "Memori Akses Acak Dinamis" (bahasa Inggris: Dynamic Random Access Memory) (DRAM) dengan antarmuka yang menggunakan lebar pita tinggi, dan telah digunakan sejak 2007. DDR3 SDRAM tidak kompatibel ke depan maupun ke belakang dengan semua jenis Memori Akses Acak terdahulu manapun, karena perbedaan tegangan pensinyalan, waktu, dan faktor lain.
DDR3 adalah spesifikasi antarmuka dari DRAM. Susunan dari penyimpanan data DRAM sama dengan tipe terdahulu, dengan kinerja yang sama.
Keunggulan utama DDR3 SDRAM dibandingkan pendahulunya, DDR2 SDRAM, adalah kemampuannya untuk mengantarkan data dua kali lebih cepat (delapan kali kecepatan susunan memori internal), memungkinkan lebar pita (bandwidth) yang lebih besar. Dengan dua transfer tiap putaran dari sinyal clock yang dikalikan empat, modul DDR3 selebar 64-bit dapat mencapai kecepatan transfer hingga 64 kali kecepatan clock memori dalam megabita per detik (MB/detik). Dengan data yang dikirimkan adalah 64 bit pada satu waktu tiap modul memori, DDR3 SDRAM memberikan kecepatan transfer (kecepatan clock memori) x 4 (untuk pengali clock bus) x 2 (untuk kecepatan data) x 64 (jumlah bit yang dikirimkan) / 8 (jumlah bit/bita). Jadi, dengan frekuensi clock memori 100 MHz, DDR3 SDRAM memberikan kecepatan transfer maksimum 6400 MB/detik. Sebagai tambahan, standar DDR3 mengizinkan kapasitas kepingan (chip) sampai dengan 8 gigabita.
Gambaran umum
suntingDibandingkan dengan memori DDR2, memori DDR3 menggunakan daya 30% lebih kecil. Pengurangan ini berasal dari perbedaan tegangan penyedia daya: 1,8V atau 2,5V untuk DDR2, dan 1,5V untuk DDR3. Tegangan penyedia sebesar 1,5V bekerja dengan baik pada teknologi pabrik 90 nanometer yang digunakan pada keping DDR3 awal.
Menurut JEDEC,[1] 1,575 volt sebaiknya adalah pertimbangan batas maksimum ketika stabilitas memori adalah hal yang diutamakan, seperti pada server maupun peranti untuk tujuan kritis lainnya. Sebagai tambahan, JEDEC menyatakan bahwa modul memori harus bertahan sampai dengan 1,975 volt sebelum mengalami kerusakan permanen, meskipun pernyataan ini tidak menjadi persyaratan untuk berfungsi dengan benar pada tingkat tegangan tersebut.
Modul
suntingModul standar JEDEC
sunting| Nama standar
|
Clock memori
(MHz) |
Cycle time
(ns atau nanodetik) |
clock bus I/O
(MHz) |
Data rate
(MT/detik) |
Nama modul
|
Transfer rate puncak
(MB/detik) |
Timing
(CL-tRCD-tRP) |
Latensi CAS
(ns) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DDR3-800D DDR3-800E |
100 | 10 | 400 | 800 | PC3-6400 | 6400 | 5-5-5 6-6-6 |
12 ½ 15 |
| DDR3-1066E DDR3-1066F DDR3-1066G |
133⅓ | 7 ½ | 533⅓ | 1066⅔ | PC3-8500 | 8533⅓ | 6-6-6 7-7-7 8-8-8 |
11 ¼ 13 ⅛ 15 |
| DDR3-1333F* DDR3-1333G DDR3-1333H DDR3-1333J* |
166⅔ | 6 | 666⅔ | 1333⅓ | PC3-10600 | 10666⅔ | 7-7-7 8-8-8 9-9-9 10-10-10 |
10 ½ 12 13 ½ 15 |
| DDR3-1600G* DDR3-1600H DDR3-1600J DDR3-1600K |
200 | 5 | 800 | 1600 | PC3-12800 | 12800 | 8-8-8 9-9-9 10-10-10 11-11-11 |
10 11 ¼ 12 ½ 13 ¾ |
| DDR3-1866J* DDR3-1866K DDR3-1866L DDR3-1866M* |
233⅓ | 4 2⁄7 | 933⅓ | 1866⅔ | PC3-14900 | 14933⅓ | 10-10-10 11-11-11 12-12-12 13-13-13 |
10 5⁄7 11 11⁄14 12 6⁄7 13 13⁄14 |
| DDR3-2133K* DDR3-2133L DDR3-2133M DDR3-2133N* |
266⅔ | 3 ¾ | 1066⅔ | 2133⅓ | PC3-17000 | 17066⅔ | 11-11-11 12-12-12 13-13-13 14-14-14 |
10 5⁄16 11 ¼ 12 3⁄16 13 ⅛ |
* opsional
Pengembangan dan masuknya ke pasar
suntingPada bulan Mei 2005, Desi Rhoden, ketua komite JEDEC yang bertanggung jawab menciptakan standar DDR3, menyatakan bahwa DDR3 telah berada dalam pengembangan selama "sekitar 3 tahun".[2] DDR3 diluncurkan pada tahun 2007, tetapi penjualannya diperkirakan tidak melampaui DDR2 sampai akhir 2009, atau kemungkinan awal 2012, menurut strategis Intel Carlos Weissenberg.
Penerus
suntingJEDEC merencanakan penerus DDR3 adalah DDR4, yang standarnya hingga saat ini masih dalam tahap pengembangan. Keunggulan utama DDR4 dibandingkan dengan DDR3 adalah jangkauan frekuensi clock dan kecepatan pengiriman data yang lebih tinggi dan tegangan yang jauh lebih kecil. Beberapa perusahaan telah memperagakan keping DDR4 untuk tujuan uji coba.[3]
Lihat pula
suntingReferensi
sunting- ^ JEDEC JESD 79-3B (bab 6, tabel 21 dan bab 7, tabel 23)
- ^ Sobolev, Vyacheslav (2005-05-31). "JEDEC: Memory standards on the way". digitimes.com. Diakses tanggal 2011-04-28.
JEDEC is already well along in the development of the DDR3 standard, and we have been working on it for about three years now.... Following historical models, you could reasonably expect the same three-year transition to a new technology that you have seen for the last several generations of standard memory
; - ^ "Samsung develops DDR4 memory with up to 40 percent better energy efficiency than DDR3". Engadget.com. January 4, 2011. Diakses tanggal 2011-07-31.
