Gambar 1. Gambar obor ICP untuk analisis

Plasma gandeng induktif (bahasa Inggris: inductively coupled plasma, ICP) adalah jenis sumber plasma yang energinya didapat dari arus listrik yang dihasilkan oleh induksi elektromagnetik, yaitu, dengan perubahan medan magnet waktu tertentu.[1]

Pengoperasian

sunting

Terdapat tiga jenis geometri ICP: planar (Gambar 2 (a)), silinder[2] (Gambar 2 (b)), dan spiral yang dilengkungkan setengah lingkaran (semi-toroidal, Gambar 2 (c)).[3]

Gambar 2. Induktor plasma konvensional

Pada geometri planar, elektrode berbentuk panjang dan terbuat dari logam pipih yang dilingkarkan seperti spiral (atau koil). Pada geometri silinder, tampak seperti pegas heliks. Pada geometri semi-toroidal, toroidal solenoid dipotong sesuai diameternya menjadi dua bagian yang sama panjang.

Ketika arus listrik melintasi koil sesuai fungsi waktu, akan menimbulkan medan magnet di sekelilingnya sesuai fungsi waktu pula, yang kemudian akan menginduksi medan listrik azimutal dalam gas umpan. Hal ini memicu formasi trayektori elektron seperti pada Gambar 8,[3] dan menghasilkan plasma (Lihat Persamaan Hamilton-Jacobi pada medan elektromagnetik). Argon adalah salah satu contoh yang banyak digunakan sebagai gas umpan.

Aplikasi

sunting

Temperatur elektron plasma bervariasi antara ~6 000K dan ~10 000K (~6eV - ~100 eV),[3] sebanding dengan suhu pada permukaan matahari. Keluaran dari ICP relatif memiliki densitas elektron yang tinggi, di level 1015 cm−3. Hasilnya, keluaran ICP memiliki rentang aplikasi yang luas bagi yang memerlukan plasma dengan kerapatan elektron tinggi.

Keuntungan lain dari keluaran ICP adalah kondisinya yang relatif bebas kontaminasi karena elektrodenya berada di luar bejana reaksi. Sebaliknya, capacitively coupled plasma (CCP), sering kali elektrodenya berada di dalam reaktor dan oleh karenanya terekspos plasma dan spesies bahan kimia yang mungkin reaktif.

Lihat juga

sunting

Referensi

sunting
  1. ^ A. Montaser and D. W. Golightly, eds. (1992). Inductively Coupled Plasmas in Analytical Atomic Spectrometry. VCH Publishers, Inc., New York,. Pemeliharaan CS1: Tanda baca tambahan (link)
  2. ^ Pascal Chambert and Nicholas Braithwaite (2011). "Physics of Radio-Frequency Plasmas". Cambridge University Press, Cambridge: 219–259. ISBN 978-0521-76300-4.
  3. ^ a b c Shun'ko, Evgeny V.; Stevenson, David E.; Belkin, Veniamin S. (2014). "Inductively Coupling Plasma Reactor With Plasma Electron Energy Controllable in the Range From ~6 to ~100 eV". IEEE Transactions on Plasma Science. 42 (3): 774–785. doi:10.1109/TPS.2014.2299954. ISSN 0093-3813.
  4. ^ Ben Ohayon, Erik Wahlin and Guy Ron (2015). "Characterization of a metastable neon beam extracted from a commercial RF ion source". 10 (03). Journal of Instrumentation, Cambridge: P03009. doi:10.1088/1748-0221/10/03/P03009.

📚 Artikel Terkait di Wikipedia

Fotolitografi

Etching (fabrikasi mikro) Etching kering (etsa plasma) Etching ion reaktif (RIE) Etching ion reaktif dalam (DRIE) Etching lapisan atom (ALE) Plasma ALE

Titik kuantum

termasuk QDs, pada logam yang selanjutnya digunakan sebagai mask untuk etching mesa nanostruktur tersebut pada substrat yang dipilih. Produksi QDs berdasarkan

Xenon

Agustus 1975). Modeling and Characterization of Sacrificial Polysilicon Etching Using Vapor-Phase Xenon Difluoride. Proceedings 17th IEEE International

Fabrikasi semikonduktor

Etching (fabrikasi mikro) Etching kering (etsa plasma) Etching ion reaktif (RIE) Etching ion reaktif dalam (DRIE) Etching lapisan atom (ALE) Plasma ALE

Polidimetilsiloksan

menggunakan teknik plasma etching. Perlakuan plasma mengganggu ikatan silikon-oksigen permukaan, dan bilah kaca yang diolah dengan plasma biasanya ditempatkan

Oksalil fluorida

J. Org. Chem. 25 (11): 2016–2019. doi:10.1021/jo01081a050. Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds, US Patent 6635185. Simon

Amonium besi(III) sulfat

chemistry: Volume 4, hlm. 1704: Chen dkk.: United States Patent 5518131 – "Etching molydbenum with ferric sulfate and ferric ammonium sulfate" Grant W. Wilson

Fluorin

Schmidt, R.; Franz, A. J.; Schmidt, M. A.; Jensen, K. F. (2007). "Isotropic Etching of Silicon in Fluorine Gas for MEMS Micromachining". Journal of Micromechanics