📑 Table of Contents▼

Dalam fabrikasi semikonduktor, International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) mendefinisikan " proses 10 nanometer " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm".

Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor . Kepadatan transistor (jumlah transistor per milimeter persegi) lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor.[1][2][3][4][5][6][7][8]

Semua proses produksi "10 nm" didasarkan pada teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar. Samsung pertama kali memulai produksi chip "kelas 10 nm" pada tahun 2013 untuk chip memori flash multi-level cell (MLC), diikuti oleh SoC mereka yang menggunakan proses 10 nm pada tahun 2016. TSMC memulai produksi komersial chip "10 nm" pada tahun 2016, dan Intel kemudian memulai produksi chip "10 nm" pada tahun 2018.

Node proses

sunting

Foundry

sunting
Aturan Dasar
Perangkat Logika ITRS

(2015)

Samsung TSMC Intel
Nama proses 16/14 nm 11/10 nm 10LPE
(10 nm) 		10LPP
(10 nm) 		8LPP
(8 nm) 		8LPU
(8 nm) 		8LPA
(8 nm) 		10FF
(10 nm) 		10 nm[9] 10 nm SF
(10 nm)[a]
Kepadatan transistor (MTr / mm2) Tidak diketahui Tidak diketahui 51.82[8] 61.18[8] ? 52.51[11] 100.76[12][b]
Transistor gate pitch (nm) 70 48 68 64 ? 66 54
Interconnect pitch (nm) 56 36 51 ? ? 44 36
Transistor fin pitch (nm) 42 36 42 42 ? 36 34
Transistor fin height (nm) 42 42 49 ? ? 42 53
Production year 2015 2017 2017 production[8] 2017 production[8] 2018 production 2019 production 2021 production 2016 risk production[6]
2017 production[6] 		2018 production
(Cannon Lake)[14] 		2020 production
(Tiger Lake)[15]
  1. ^ For 10nm ESF renamed Intel 7, see 7 nm[10][diperdebatkan – diskusikan]
  2. ^ Intel uses this formula:[13]

Lihat pula

sunting

Referensi

sunting
  1. ^ "No More Nanometers – EEJournal". 23 July 2020.
  2. ^ Shukla, Priyank. "A Brief History of Process Node Evolution". design-reuse.com. Diakses tanggal 2019-07-09.
  3. ^ Hruska, Joel. "14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists..." ExtremeTech.
  4. ^ "Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022". wccftech.com. 2016-09-10.
  5. ^ "Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms". eejournal.com. 2018-03-12.
  6. ^ a b c "10nm Technology". TSMC. Diakses tanggal 30 June 2019.
  7. ^ "VLSI 2018: Samsung's 11nm nodelet, 11LPP". WikiChip Fuse (dalam bahasa American English). 2018-06-30. Diakses tanggal 2019-05-31.
  8. ^ a b c d e "VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension". WikiChip Fuse (dalam bahasa American English). 2018-07-01. Diakses tanggal 2019-05-31.
  9. ^ Demerjian, Charlie (2018-08-02). "Intel guts 10nm to get it out the door". SemiAccurate. Diakses tanggal 29 September 2018.
  10. ^ "Intel's Process Roadmap to 2025: With 4nm, 3nm, 20A and 18A?!".
  11. ^ Schor, David (2019-04-16). "TSMC Announces 6-Nanometer Process". WikiChip Fuse (dalam bahasa American English). Diakses tanggal 2019-05-31.
  12. ^ "Intel 10nm density is 2.7X improved over its 14nm node". HEXUS (dalam bahasa Inggris (Britania)). Diakses tanggal 2018-11-14.
  13. ^ Bohr, Mark (2017-03-28). "Let's Clear Up the Node Naming Mess". Intel Newsroom. Diakses tanggal 2018-12-06.
  14. ^ Cutress, Ian (July 26, 2021). "Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!". AnandTech. Diakses tanggal 2021-07-27.
  15. ^ "What Products Use Intel 10nm? SuperFin and 10++ Demystified".

📚 Artikel Terkait di Wikipedia

Proses 14 nm

ke konsumen. Second-sourced to GlobalFoundries. Based on Samsung's 14 nm process. Intel uses this formula: 0.6 × N A N D 2   T r   C o u n t N A N D 2

Proses 7 nm

Sistem Internasional mendefinisikan proses 7 nm adalah generasi lanjutan dari teknologi MOSFET proses 10 nm. Proses ini didasarkan pada teknologi FinFET

Proses 5 nm

mendefinisikan proses 5 nm sebagai simpul teknologi MOSFET setelah simpul 7 nm. Pada tahun 2020, Samsung dan TSMC memulai produksi chip 5 nm, untuk produk seperti

Semiconductor Manufacturing International Corporation

layanan pembuatan sirkuit terpadu (IC) dengan teknologi proses dari 350 nm hingga 7 nm. Perusahaan ini juga termasuk penyedia peralatan telekomunikasi sipil

Proses 22 nm

Node "22 nm" adalah langkah proses setelah 32 nm dalam fabrikasi perangkat semikonduktor CMOS MOSFET. Half-pitch yang khas (yaitu, setengah jarak antara

CD44

menginduksi ekspresi varian CD44 yaitu CD44v7-10 melalui lintasan protein kinase A dan p38. CD44v7-10 memiliki daya cerap lebih besar terhadap fibronektin

Chengdu J-10

Strategic Studies 2024. Bronk 2020, hlm. 39. Wang Jieqing. "J-10 Fighter Test Flight Process Secret Revealed". Southern Weekend. Diarsipkan dari versi aslinya

Fenmetrazin

29–50 nM dan 70–131 nM. Obat ini memiliki aktivitas yang sangat lemah sebagai pelepas serotonin, dengan nilai EC50 sebesar 7.765 hingga >10.000 nM. Obat